ST signe un accord de développement et de fabrication avec Innoscience pour la technologie GaN

Le fabricant franco-italien STMicroelectronics vient de signer un accord de développement et de fabrication avec le Chinois Innoscience. Celui-ci porte sur le développement conjoint de la technologie GaN afin d’apporter des solutions de puissance pour l’électronique grand public, les data centers, l’automobile et l’industriel.

Par ailleurs, cet accord prévoit qu’Innoscience pourra utiliser la capacité de fabrication front-end de ST en dehors de la Chine pour ses wafers en GaN. Réciproquement, ST tirera profit de la capacité de production front-end d’Innoscience en Chine pour ses propres tranches en nitrure de gallium.

« ST et Innoscience sont tous deux des fabricants intégrés de composants, et avec cet accord, nous tirerons parti de ce modèle au bénéfice de nos clients à l’échelle mondiale, a souligné Marco Cassis, président du groupe produits analogiques, produits discrets et de puissance, Mems et capteurs de STMicroelectronics. Tout d’abord, ST accélérera sa feuille de route en technologie de puissance GaN pour compléter son offre en silicium et en carbure de silicium. Ensuite, ST pourra tirer parti d’un modèle de fabrication flexible pour servir ses clients dans le monde entier. »